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經(jīng)歷近一年大幅回調(diào)，近期存儲市場企穩(wěn)回升預期高漲。在日前CFMS閃存峰會上，大為股份(002213)旗下存儲業(yè)務子公司大為創(chuàng)芯參展，公司首席技術(shù)官陳宗廷接受證券時報·e公司記者采訪時預判， DRAM比NAND Flash有望率先迎來觸底反彈，國內(nèi)數(shù)據(jù)中心市場復蘇有望快速走上復蘇通道，車用存儲也將迎來增長，公司已經(jīng)規(guī)劃相應產(chǎn)品布局。

（大為創(chuàng)芯 首席技術(shù)官陳宗廷  圖片來源：CFMS）

“存儲市場從去年開始步入低迷，供大于求，DRAM廠紛紛減產(chǎn)，預計2023年DRAM領(lǐng)域有望達到供需平衡，今年年底將有機會反彈?！标愖谕⒔榻B，相比DRAM，NAND Flash難度比較大，因為從2003年以來NAND Flash趨向供大于求，并且今年新制程推出導致Flash比較難達到供需平衡。整體來看，傳統(tǒng)的通用型存儲復蘇比較困難，而定制化、利基型存儲會比較容易反彈復蘇。

細分市場中，內(nèi)存條和SSD產(chǎn)品需求龐大，數(shù)據(jù)中心有望推動市場在2023年第四季度觸底反彈；新能源汽車發(fā)展帶動下，車用存儲也將增長。

陳宗廷介紹，數(shù)據(jù)中心市場扭轉(zhuǎn)下行趨勢的關(guān)鍵在于今年服務器CPU的更迭將推動換機潮，疊加消費升級和人工智能需求，數(shù)據(jù)中心市場有望起量，因此，大為創(chuàng)芯為數(shù)據(jù)中心規(guī)劃了DDR5內(nèi)存條，產(chǎn)品有望陸續(xù)在2023年第四季度和2024年第一季度量產(chǎn)。

在新能源汽車領(lǐng)域，大為創(chuàng)芯會推出新能源汽車專用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等寬溫級產(chǎn)品，布局汽車輔助駕駛360環(huán)視領(lǐng)域，目前已經(jīng)有客戶群。

從技術(shù)發(fā)展趨勢來看，PC市場內(nèi)存條已經(jīng)從DDR4向DDR5迭代，網(wǎng)通產(chǎn)品也普及了DDR4，而嵌入式存儲產(chǎn)品今年有望從DDR3升級到DDR4。一方面原因是DDR3減產(chǎn)導致供給不足，消費者對存儲性能要求提升；另一方面，去年疫情影響了消費信心，運營商支出縮減，導致DDR4推廣進程被延遲。

“大為創(chuàng)芯會將DDR3和DDR4作為今年推廣重點。”陳宗廷表示，今年公司嵌入式存儲的重點還是以網(wǎng)通為應用中心，配合大為股份智能終端事業(yè)板塊的發(fā)展。

對于人工智能市場，陳宗廷表示無論是AI運算還是學習，都會涉及到大量存儲需求，而大為創(chuàng)芯主打網(wǎng)絡(luò)通訊類嵌入式存儲產(chǎn)品，著力提升網(wǎng)絡(luò)邊緣計算，提升反應速率；時下熱議的HBM（高帶寬存儲器）公司尚未涉及。

目前大為創(chuàng)芯來自消費類產(chǎn)品占比八成，其他類占兩成，公司也在布局工業(yè)控制領(lǐng)域市場，規(guī)劃主打DRAM、SSD以及eMMC三類寬溫級產(chǎn)品線，預計2023年第四季度將推出相應產(chǎn)品。

“工業(yè)控制市場是高度定制化的，這就需要存儲原廠以及自身團隊不斷調(diào)試?！标愖谕⒈硎?，工控類市場門檻比較高，所以客戶粘稠度會比較高，相應產(chǎn)品利潤率也會更高。

大為創(chuàng)芯布局DRAM和NAND Flash市場，并以嵌入式產(chǎn)品為主打，與上下游供應鏈密切合作，著力提升國產(chǎn)存儲器自主程度。陳宗廷介紹，近些年國產(chǎn)存儲廠商進步比較迅速，公司規(guī)劃未來三年可以向DRAM的IC主控芯片發(fā)展。

大為創(chuàng)芯是大為股份旗下重要子公司。大為股份經(jīng)營電渦流緩速器和液力緩速器，通過參股大為弘德涉足新能源專用車領(lǐng)域，2021年大為股份對大為創(chuàng)芯完全控股，形成以存儲器為核心的電子元器件行業(yè)整體化解決方案，大為股份半導體存儲器業(yè)務當年營收達到3.4億元，占總營收39.60%，同比去年增長約1.35倍。大為股份2022年度業(yè)績預告顯示，預計2022年大為股份盈利1450萬元至1680萬元，同比上年增長-6.33%至8.53%。

陳宗廷表示，大為股份與大為創(chuàng)芯業(yè)務協(xié)同性比較高，嵌入式產(chǎn)品在智能終端方面完全匹配，而新能源汽車存儲器也將是大為創(chuàng)芯的重點。

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